글로벌 다이오드 트랜지스터 광감지 소자 시장, 5G와 자율주행 기술 확대에 힘입어 급성장 예고
다이오드, 트랜지스터 및 광감지 소자 시장 심층 분석 보고서
1. 기술 혁신 동향
**1.1. 차세대 전력 반도체: GaN 및 SiC 기반 다이오드·트랜지스터**
기존 실리콘(Si) 기반 소자의 한계를 극복하기 위해 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)를 활용한 광대역갭(WBG) 반도체 기술이 급속도로 상용화되고 있습니다. GaN 트랜지스터는 고주파·고효율 특성을 바탕으로 5G 통신 기지국 및 소형화된 전력 어댑터 시장을 주도하고 있으며, SiC 쇼트키 다이오드는 전기차(EV) 인버터와 충전 인프라에서 내열성과 전력 손실 감소