ダイオード、トランジスタ、フォトセンサデバイス市場に関する総合分析

1. 技術革新の動向と将来展望
半導体デバイスの基幹を成すダイオード、トランジスタ、フォトセンサデバイス市場は、著しい技術進化の只中にある。シリコンベースのデバイスに加え、SiC（シリコンカーバイド）およびGaN（窒化ガリウム）を採用したパワーデバイスの開発競争が激化しており、特にEV（電気自動車）や再生可能エネルギーシステム向けに高効率・高耐圧製品の需要が急増している。フォトセンサ分野では、CMOSイメージセンサに続く革新として、dToF（直接飛行時間法）センサやSWIR（短波長赤外線）センサの民生・産業応用が拡大。さらに