ダイオード、トランジスタ、フォトセンサデバイス市場に関する総合分析

1. 技術革新の動向と将来展望
半導体デバイスの基幹を成す個別素子分野において、技術革新は著しく加速している。シリコンベースのパワーデバイスでは、IGBTやMOSFETの高耐圧・低損失化が進み、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムの効率向上に寄与している。特に、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を採用したワイドバンドギャップ（WBG）半導体の実用化は、電力変換効率と高温動作性能を飛躍的に高め、産業機器・車載領域での採用が本格化している。
フォトセンサデバイスにおいては、CMOSイメージセンサに加え、LiD